物理气相沉积 (溅镀)

Robusta®300+

Robusta®300+ 为一全自动、多腔室生产平台。作为一个完整的物理气相沉积溅镀(PVD sputtering) 量产设备，Robusta®300+ 配置超高真空之物理气相沉积(Physical Vapor Deposition) 反应室、多片式高真空除高挥发性物质处理(Mini-Batch Degas) 反应室及超低温蚀刻(Super Low Temp. Pre-Clean) 反应室。 Robusta®300+ 可以将多种金属溅镀在不同的基材或载板上，例如钛钨/金、钛/铜、钛/铝铜、镍钒及许多其他金属，而基材可以是矽晶圆(Si)、玻璃基板(Glass)、氧化矽(SiO) 、氮化矽(SiN)、聚亚醯胺(PI) 、 聚苯撑苯并二恶唑(PBO)、模封黑胶(Epoxy Molding Compounds)、玻载矽晶圆(Silicon on glass, SoG)等等。

Robusta®300+ 已成为5奈米后段先进封装凸块(Bumping) 唯一的量产标准溅镀机；Robusta®300+ 配备的多片式除高挥发性物质(Mini-Batch Degas) 反应室能有效率的处理各种挥发性气体及水气，同时Robusta®300+ 的超低温蚀刻(Super Low Temp. Pre-Clean) 反应室能迅速降低制程中有机材料的温度，有效清除晶圆表面氧化物，本超低温蚀刻(Super Low Temp. Pre-Clean) 反应室之设计可大幅延长保养周期至8000片以上。因此，它是您先进晶圆级封装量产普及化的最佳伙伴。


Robusta®300+ (PVD x3, Mini-Batch Degas x1, Super Low Temp. Pre-Clean x1)

Robust®+ 配备以下各主要的腔室：

                                                                                                                                                      

	1.	12吋设备前端晶圆传送系统(EFEM)，该系统亦可配置传送8吋晶圆。
	2.	高真空晶圆传送系统(Mainframe) 配以2个大气到初真空腔体(Loadlock chambers) ，中央高真空传送腔室(Transfer chamber) 及6个标准制程反应室(Process chamber) 介面，弹性搭配的制程反应室及超高速的双臂机械手臂(Brooks, Leap Frog)，可以大幅提升产能。
	3.	超高真空金属溅镀反应室(PVD chamber)，提供高品质的平面(​​Blank Deposition) 或高深宽比(Thru Insulator Via) 的黏接金属层与电镀种材镀膜(Barrier/Seed)，成膜品质与覆盖率更是与先进半导体设备相同。
	4.	超低温晶圆表面蚀刻反应室(Super Low Temperature Pre-Clean chamber) 运用了磁控活性离子蚀刻技术(MERIE)，本腔体的机械式压环设计可以有效降低蚀刻时因基材所产生的挥发性气体与氧化物反溅，并确保优秀的自然生成氧化物(Native Oxide) 蚀刻去除效果。
	5.	多片式高挥发性物质处理反应室(Mini-Batch Degas chamber)，可在高真空的环境下以适当的温度烘烤，将基材本身之高挥发性气体与水气完全除去，同时能达到最佳的产能。