| 年度 |
大事紀要 |
| 2020 |
台湾晶圆代工大厂 再次采购数台 Robusta300+ 满足5奈米后段封装Bumping UBM/RDL seed layer量产需求，第一期订单已全数达交
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| 2019 |
Robusta300+ 成为台湾晶圆代工大厂 先进封装 Bumping在 UBM/RDL 的主要量产设备，且达成MTBC 8,000 片的生产纪录，大幅延长保养间隔时间
连续式超高真空辐射加热除溢反应腔室 (MBD 2) 获颁第26届台湾中小企业创新研究奖
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| 2018 |
Robusta300+ 成为台湾晶圆代工大厂先进封装台南厂在 UBM/RDL 的主要量产设备，且达成MTBC 8,000 片的生产纪录，大幅延长保养间隔时间
台湾晶圆代工大厂 使用 Robusta300+ 替主要客户生产超低阻抗特性的UBM/RDL产品
力鼎精密经评估与认证符合ISO9001:2015的要件
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| 2017 |
进入中芯国际集成电路(SMIC)进行TSV制程开发与量产(LPI08190)
运送第五台Robusta®进入台湾晶圆代工大厂的台南厂
Robusta®300成为台湾晶圆代工大厂 高阶制程晶圆封装(UBM/RDL)之主要量产机台
南茂科技购入GriFfin chambers用于Si-Trench TiW / Au量产
中国大陆高端晶圆级封装厂江苏汇成光电购入第三台Robusta®进行金凸块量产(LPI08189)
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| 2016 |
LPI12168通过台湾晶圆代工大厂使用之多种高挥发性基材之溅镀系统量产验证
于台湾晶圆代工大厂台南厂正式进行量产
LPI12168通过台湾晶圆代工大厂高阶制程晶圆封装量产机台验证
南茂科技购入第十六台Robusta用于TiW / Au, Ti / Cu 量产
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| 2015 |
力鼎精密导入ISO9001:2008品质管理系统
LPI12183进入台湾晶圆代工大厂之龙潭厂进行整合晶圆级扇出封装Wafer Level Fan-Out 量产验证
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| 2014 |
LPI12168投入台湾晶圆代工大厂 整合晶圆级扇出封装 之溅镀系统的开发与量产验证(Wafer Level Fan Out)
台湾晶圆代工大厂购入第三台Robusta®进入台南厂(LPI12182)
南茂科技购入第十四台Robusta®用于TiW / Au, Ti / Cu 量产
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| 2013 |
LPI12168于台湾晶圆代工大厂进行高挥发性基材之溅镀系统的开发与量产验证
LPI12168于台湾晶圆代工大厂通过B基于PI基材的制程验证
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| 2012 |
Caprica开始投入Deep Silicon Etch and Oxide Etch蚀刻技术之量产应用并于日月光半导体进行量产验证(LPI08183)
力鼎精密Robusta®200进入中国大陆高端晶圆级封装厂江苏汇成光电进行金凸块量产(LPI08182)
LPI12168于台湾晶圆代工大厂进行PI wafer Bumping制程开发
客制LPI12176于南韩Semicat进行先进记忆体制程开发
客制溅镀机于竹北旺矽科技参予探卡等非晶圆基材之金属膜溅镀
南茂科技购入第十台Robusta®用于TiW / Au，Ti / Cu量产
台积固态照明购入第二台Robusta®300进行先进的LED量产(LPI12179)
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| 2010 |
客制Robusta®200GriFfin进入台积固态照明进行量产(LPI08179)
第一台可同机进行200mm与300mm单晶圆溅镀机进入群成科技量产(LPI12171)
南茂科技购入第一台Robusta®300正式开始300毫米金凸块量产
发表Caprica 300
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| 2009 |
Caprica 300深矽蚀刻机台开发获经济部工业局主导性新产品开发计画补助
Lewis330 Etcher进入探微科技进行微机电元件制程开发
Robusta®300 GriFfin 系统开发获行政院国家科学委员会高科技设备前瞻技术发展计画补助
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| 2008 |
Robusta®300进入台湾晶圆代工大厂进行量产试机(LPI12168)
客制300mm原子层沉积（ALD）机台进入台湾晶圆代工大厂进行先进制程研发(LPI12170)
力鼎精密导入ERP作业系统提升企业经营效率
力鼎精密投入Caprica 200深矽蚀刻机台开发
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| 2007 |
发表Robusta®300并取得SEMI S2验证(LPI12168)
力鼎精密股份有限公司正式成立
力鼎精密苗栗县竹南总部厂房落成
300mm UBM(Under Bump Metal)溅镀系统开发获经济部工业局主导性新产品开发计画补助
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| 2006 |
Robusta®200正式开始金凸块在南茂科技公司量产(LPI08168, LPI08169)
进入中国大陆高端晶圆级封装厂宏茂微电子(LPI08172 & LPI08173)
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| 2005 |
开始投入半导体后段制程设备及系统之开发
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