物理氣相沉積 (濺鍍)

Robusta®300+

Robusta®300+ 為一全自動、多腔室生產平台。作為一個完整的物理氣相沉積濺鍍 (PVD sputtering) 量產設備，Robusta®300+ 配置超高真空之物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition) 反應室、多片式高真空除高揮發性物質處理(Mini-Batch Degas) 反應室及超低溫蝕刻 (Super Low Temp. Pre-Clean) 反應室。 Robusta®300+ 可以將多種金屬濺鍍在不同的基材或載板上，例如鈦鎢/金、鈦/銅、鈦/鋁銅、鎳釩及許多其他金屬，而基材可以是矽晶圓 (Si)、玻璃基板 (Glass)、氧化矽 (SiO) 、氮化矽 (SiN)、聚亞醯胺 (PI) 、 聚苯撐苯并二惡唑 (PBO)、模封黑膠(Epoxy Molding Compounds)、玻載矽晶圓(Silicon on glass, SoG)等等。

Robusta®300+ 已成為5奈米後段先進封裝凸塊 (Bumping) 唯一的量產標準濺鍍機；Robusta®300+ 配備的多片式除高揮發性物質 (Mini-Batch Degas) 反應室能有效率的處理各種揮發性氣體及水氣，同時 Robusta®300+ 的超低溫蝕刻 (Super Low Temp. Pre-Clean) 反應室能迅速降低製程中有機材料的溫度，有效清除晶圓表面氧化物，本超低溫蝕刻 (Super Low Temp. Pre-Clean) 反應室之設計可大幅延長保養週期至8000片以上。因此，它是您先進晶圓級封裝量產普及化的最佳夥伴。


Robusta®300+ (PVD x3, Mini-Batch Degas x1, Super Low Temp. Pre-Clean x1)

Robust®300+ 配備以下各主要的腔室：

	1.	12吋設備前端晶圓傳送系統(EFEM)，該系統亦可配置傳送8吋晶圓。
	2.	高真空晶圓傳送系統 (Mainframe) 配以2個大氣到初真空腔體 (Loadlock chambers) ，中央高真空傳送腔室 (Transfer chamber) 及6個標準製程反應室 (Process chamber) 介面，彈性搭配的製程反應室及超高速的雙臂機械手臂 (Brooks, Leap Frog)，可以大幅提升產能。
	3.	超高真空金屬濺鍍反應室 (PVD chamber)，提供高品質的平面 (Blank Deposition) 或高深寬比 (Thru Insulator Via) 的黏接金屬層與電鍍種材鍍膜 (Barrier/Seed)，成膜品質與覆蓋率更是與先進半導體設備相同。
	4.	超低溫晶圓表面蝕刻反應室 (Super Low Temperature Pre-Clean chamber) 運用了磁控活性離子蝕刻技術 (MERIE)，本腔體的機械式壓環設計可以有效降低蝕刻時因基材所產生的揮發性氣體與氧化物反濺，並確保優秀的自然生成氧化物 (Native Oxide) 蝕刻去除效果。
	5.	多片式高揮發性物質處理反應室 (Mini-Batch Degas chamber)，可在高真空的環境下以適當的溫度烘烤，將基材本身之高揮發性氣體與水氣完全除去，同時能達到最佳的產能。