年度 |
大事紀要 |
2020 |
台灣晶圓代工大廠 再次採購數台 Robusta300+ 滿足5奈米後段封裝Bumping UBM/RDL seed layer量產需求,第一期訂單已全數達交
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2019 |
Robusta300+ 被客戶選定為5奈米封裝銅凸塊 (Cu Bump, UBM/RDL seed layer) 主要的量產設備,並參與5奈米封裝UBM/RDL seed layer的風險性試產與下線認證
連續式超高真空輻射加熱除溢反應腔室 (MBD 2) 獲頒第26屆台灣中小企業創新研究獎
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2018 |
Robusta300+ 成為台灣晶圓代工大廠先進封裝台南廠在 UBM/RDL 的主要量產設備,且達成MTBC 8,000 片的生產紀錄,大幅延長保養間隔時間
台灣晶圓代工大廠先進封裝台南廠使用 Robusta300+ 替主要客戶生產超低阻抗特性的產品
力鼎精密經評估與認證符合ISO9001:2015的要件
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2017 |
進入中芯國際集成電路(SMIC)進行TSV製程開發與量產(LPI08190)
運送第五台Robusta®進入台灣晶圓代工大廠的台南廠
Robusta®300成為台灣晶圓代工大廠 高階製程晶圓封裝(UBM/RDL)之主要量產機台
南茂科技購入GriFfin chambers用於Si-Trench TiW / Au量產
中國大陸高端晶圓級封裝廠江蘇匯成光電購入第三台Robusta®進行金凸塊量產(LPI08189)
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2016 |
LPI12168通過台灣晶圓代工大廠使用之多種高揮發性基材之濺鍍系統量產驗證
於台灣晶圓代工大廠台南廠正式進行量產
LPI12168通過台灣晶圓代工大廠高階製程晶圓封裝量產機台驗證
南茂科技購入第十六台Robusta用於TiW / Au, Ti / Cu 量產
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2015 |
力鼎精密導入ISO9001:2008品質管理系統
LPI12183進入台灣晶圓代工大廠之龍潭廠進行整合晶圓級扇出封裝Wafer Level Fan-Out 量產驗證
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2014 |
LPI12168投入台灣晶圓代工大廠 整合晶圓級扇出封裝 之濺鍍系統的開發與量產驗證(Wafer Level Fan Out)
台灣晶圓代工大廠購入第三台Robusta®進入台南廠(LPI12182)
南茂科技購入第十四台Robusta®用於TiW / Au, Ti / Cu 量產
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2013 |
LPI12168於台灣晶圓代工大廠 進行高揮發性基材之濺鍍系統的開發與量產驗證
LPI12168於台灣晶圓代工大廠 通過Bumping on PI基材的製程驗證
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2012 |
Caprica開始投入Deep Silicon Etch and Oxide Etch 蝕刻技術之量產應用並於日月光半導體進行量產驗證(LPI08183)
力鼎精密Robusta®200進入中國大陸高端晶圓級封裝廠江蘇匯成光電進行金凸塊量產(LPI08182)
LPI12168於台灣晶圓代工大廠 進行PI wafer Bumping製程開發
客製LPI12176於南韓Semicat進行先進記憶體製程開發
客製濺鍍機於竹北旺矽科技參予Probe Card等非晶圓基材之金屬膜濺鍍
南茂科技購入第十台Robusta®用於TiW / Au, Ti / Cu量產
台積固態照明購入第二台Robusta®300進行先進LED量產(LPI12179)
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2010 |
客製Robusta®200 GriFfin進入台積固態照明進行量產(LPI08179)
第一台可同機進行200mm與300mm單晶圓濺鍍機 進入群成科技量產(LPI12171)
南茂科技購入第一台Robusta®300正式開始300mm金凸塊量產
發表Caprica 300
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2009 |
Caprica 300深矽蝕刻機台開發獲經濟部工業局主導性新產品開發計畫補助
Lewis330 Etcher進入探微科技進行微機電元件製程開發
Robusta®300 GriFfin 系統開發獲行政院國家科學委員會高科技設備前瞻技術發展計畫補助
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2008 |
Robusta®300進入台灣晶圓代工大廠 進行量產試機(LPI12168)
客製300mm原子層沉積(ALD) 機台進入台灣晶圓代工大廠 進行先進製程研發(LPI12170)
力鼎精密導入ERP作業系統提昇企業經營效率
力鼎精密投入Caprica 200深矽蝕刻機台開發
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2007 |
發表Robusta®300並取得SEMI S2驗證(LPI12168)
力鼎精密股份有限公司正式成立
力鼎精密苗栗縣竹南總部廠房落成
300mm UBM(Under Bump Metal)濺鍍系統開發獲經濟部工業局主導性新產品開發計畫補助
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2006 |
Robusta®200正式開始金凸塊在南茂科技公司量產(LPI08168, LPI08169)
進入中國大陸高端晶圓級封裝廠宏茂微電子(LPI08172 & LPI08173)
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2005 |
開始投入半導體後段製程設備及系統之開發
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